采用細(xì)顆粒α-SiC和添加劑、造孔劑加工形成造粒粉后壓制成素坯，通過燒結(jié)溫度控制，在2100℃真空燒結(jié)爐中控制α-SiC晶體生長，造孔劑在高溫下氣化形成開口氣孔，均勻分布在材料中，從而形成高自潤滑性、高純度的碳化硅材料。